FF1200R12KE3NOSA1

Изготовитель Деталь №
FF1200R12KE3NOSA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT MODULE 1200V 5000W
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Модули
Configuration :
2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) :
-
Current - Collector Cutoff (Max) :
5 mA
IGBT Type :
-
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
86 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
Module
Power - Max :
5000 W
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 1200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Спецификации
FF1200R12KE3NOSA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров