G33N03D3
- Изготовитель Деталь №
- G33N03D3
- Производитель
- Goford Semiconductor
- Пакет/кейс
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
- Запас:
- В наличии
Запросить предложение (RFQ)
- * Эл. почта:
- * Наименование:
- * Количество, шт):
- * Капча:
-
- Производитель :
- Goford Semiconductor
- категория продукта :
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 33A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30V
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 17.5nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1938pF @ 15V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-PowerVDFN
- Power - Max :
- 20W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 12mOhm @ 18A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-DFN (3x3)
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1.1V @ 250µA
- Спецификации
- G33N03D3
