G23N06K

Изготовитель Деталь №
G23N06K
Производитель
Goford Semiconductor
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Goford Semiconductor
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
-
FET Feature :
-
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
-
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Supplier Device Package :
-
Technology :
-
Vgs (Max) :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
-
Спецификации
G23N06K

Товары, связанные с производителем

  • Goford Semiconductor
    N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)
  • Goford Semiconductor
    N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
  • Goford Semiconductor
    N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M
  • Goford Semiconductor
    N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
  • Goford Semiconductor
    N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4

Каталог сопутствующих товаров